中國各地區(qū)海拔不同所處地理位置的氣壓也相應(yīng)不同，電子元器件作為21世紀(jì)隨處可見的產(chǎn)品對其進(jìn)行低氣壓測試是非常必要的，其目的主要用來確定元件、設(shè)備或其他產(chǎn)品在貯存、運(yùn)輸和使用中對低氣壓環(huán)境的適應(yīng)性。通常高低溫環(huán)境結(jié)合低氣壓構(gòu)成綜合環(huán)境應(yīng)力來評價(jià)產(chǎn)品的失效機(jī)理等，因此高低溫低氣壓試驗(yàn)箱是不二選擇。

一、低氣壓測試標(biāo)準(zhǔn)

1. GB/T 2421.1-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 概述和指南》

2. GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試程 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)M:低氣壓》

3. GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)》

4. GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)》

5. GB/T 2423.27-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)》

6. GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則》

7. GJB 150.2A-2009《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗(yàn)》

8. GJB 360B-2009 《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105  低氣壓試驗(yàn)》

二、試驗(yàn)參數(shù)選擇

• 設(shè)備型號：星拓AHP-320

• 壓力范圍：常壓~0.5kPa

• 壓力偏差：當(dāng)≤4kPa時(shí)，±0.1kPa；當(dāng)4kPa~40kPa時(shí)，±0.5kPa；當(dāng)≥40kPa時(shí)，±2.0kPa。

• 降壓時(shí)間：常壓~1kPa間 ≤30min。

• 溫度范圍：-70℃~+150℃(常壓時(shí))

• 溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃(在常壓溫度恒定的情況下)

• 溫度均勻度：≤±2.0℃(常壓時(shí))

• 溫度偏差：≤±2.0°℃(常壓時(shí))

• 降溫速率：0.7℃~1.0℃/min 全程平均(常壓時(shí))

• 標(biāo)稱內(nèi)容積：320L

• 以上試驗(yàn)參數(shù)均可根據(jù)測試要求進(jìn)行定制

三、試驗(yàn)影響

1. 氣壓降低對產(chǎn)品的直接影響主要是氣壓變化產(chǎn)生的壓差作用。這對于密封產(chǎn)品的外殼會產(chǎn)生一個(gè)壓力，在這個(gè)壓力的作用下會使密封破壞。 

2. 散熱性電子元器件的溫升隨大氣壓降低而增加，隨海撥高度的增加而增加，導(dǎo)致試樣的性能下降或運(yùn)行不穩(wěn)定等現(xiàn)象出現(xiàn)。

3. 低氣壓對密封產(chǎn)品的影響主要是由于大氣壓的變化形成壓差。壓差引起一個(gè)從高壓指向低壓的力，此力可以使外殼變形、密封件破裂造成產(chǎn)品失效。

4. 由于大氣壓降低，常常在電場較強(qiáng)的電極附近產(chǎn)生局部放電現(xiàn)象，稱之為電暈，更嚴(yán)重的是有時(shí)會發(fā)生空氣間隙擊穿，這意味試樣的正常工作狀態(tài)被破壞。

以上就是用高低溫低氣壓試驗(yàn)箱檢測電子元器件性能應(yīng)了解的基礎(chǔ)知識。

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